دستگاه اثر سالن

پلت فرم توصیف حمل و نقل الکتریکی پیشرفته

DX -3000 یک بستر آزمایش چند منظوره است که برای تجزیه و تحلیل جامع از خصوصیات حمل و نقل الکتریکی طراحی شده است. این ترکیب اثر هال ، مقاومت مغناطیسی و خصوصیات IV را در یک سیستم یکپارچه واحد ترکیب می کند. با بهینه سازی انتخاب ابزار دقیق و از بین بردن پیچیدگی های سیم کشی دستی (تنظیمات اتاق/دمای پایین) ، دستیابی به داده ها را برای دقت و تکرارپذیری ساده می کند. سازگار با الکترومغناطیس یا آهنرباهای ابررسانا (قابل تنظیم کاربر) ، از پروب های نمونه هوشمند و نرم افزار قابل تنظیم برای اندازه گیری های سریع و خودکار پشتیبانی می کند.

• گردش کار کارآمد: کارتهای نمونه مدولار نصب سریع را فعال می کنند (از 2-4 نمونه همزمان با افزودنیها پشتیبانی می کند).
• دامنه اندازه گیری گسترده: تجزیه و تحلیل مقاومت از 0. 1mΩ به 100gΩ (قابل ارتقا از طریق ماژول های ولتاژ/امپدانس بالا).
• تست تطبیقی: پارامترهای میدان جریان/مغناطیسی قابل برنامه ریزی برای سالن پویا و ارزیابی مقاومت.
• تجسم در زمان واقعی: نرم افزار خودکار نتایج واسطه ای ، منحنی (IV ، RT ، RH) و پارامترهای نهایی (چگالی حامل ، تحرک ، مقاومت در برابر ورق) ایجاد می کند.
• انعطاف پذیری مغناطیسی: تثبیت میدان صفر ، پایداری میدان بلند مدت و کنترل سریع میدان از طریق کنتورهای گاوس یکپارچه.
• تطبیق پذیری دما: ماژول های کرایوژنیک اختیاری (1.6k -800k) برای مطالعات محیط متغیر.

• نیمه هادی: SIGE ، INGAAS ، HGCDTE ، SIC ، ALGAAS و غیره
• فیلم های رسانا: فلزات ، ساختارهای TMR ، اکسیدهای شفاف.
• بسترهای امپرداخت بالا: GAAS نیمه توهین آمیز ، CDTE ، گان.

1. تجزیه و تحلیل اثر سالن:
   خروجی ها: مقاومت ، ضریب سالن ، نوع حامل/غلظت ، تحرک.
2. پروفایل مقاومت مغناطیسی:
   معیارها: ΔR ، ΔR/R ٪ ، منحنی های RH.
3. خصوصیات پویا:
   نقشه برداری IV در دمای متغیر/زمینه ها.
   مقاومت وابسته به دما (RT) در زمینه های ثابت.

ماژول های الکتریکی: ابزارهای دقیق Keithley (منابع فعلی ، Nanovoltmeters ، ماتریس سوئیچ).

گزینه های آهنربا:

• dx -100: حداکثر 1.5T (قطب 60 میلی متر ، یکنواختی 1 ±).
• dx -130: حداکثر 2.5t (قطب 100 میلی متر).
• dx -180: حداکثر 2.7t (قطب 120 میلی متر).

کنترل حرارتی(اختیاری):

نیتروژن مایع (80-500k) ، کریستات (4-325k) ، یخچال های جمع و جور (45-325k).

ابعاد نمونه:

• کارتهای کوچک/کاوشگر: 12x12mm² تا 30x30mm².
• کارتهای بزرگ: 50x50mm².

محدودیتهای الکتریکی:

• جریان: 100pa ± 100mA (وضوح: 100PA).
• ولتاژ: ± {{0}}. 1μV -30V (وضوح: 0.1μV).
• تراکم حامل حداکثر: 1 × 10 ⁸ cm⁻³.

معیارهای دقت:

• عدم قطعیت میدان/ضخامت<1%.
• نسبت میدان/ضخامت بهینه: 1T/میلی متر.

• آمادگی نمونه: پشتیبانی از تنظیمات سیم {0}}/{{1}.
• نرم افزاری: اتوماسیون کامل با ورود به سیستم داده ها ، اتصالات منحنی و استخراج پارامتر.
• رعایت: مصرف کم مصرف (<1mV sample excitation).

تحقیق و توسعه نیمه هادی ، مطالعات مواد مغناطیسی ، اعتبار سنجی دستگاه نازک و علم مواد پیشرفته.

(توجه: تنظیمات سفارشی موجود برای تنظیمات آزمایشگاه موجود یا الزامات تخصصی.)